于是，如果不借助真空底部填充等改造手段(会增加制程复杂性，并且需要额外工具加工)，或减少填料装载(会增加底部填料的热膨胀系数[TCE]，降低管理封装内热机械诱导应力的有效性)，那么让大量装载填充颗粒的传统毛细管底部填充(CUF)材料，顺畅而迅速地流入这些狭窄空隙(15μm或更小)也变得越来越困难。

　　非导电膜(NCF)属于在形成互连前就应用于未黏合晶粒上的底部填充材料。通常来说，NCF也是矽胶填充环氧树脂基材料，与液态CUF材料不同的是，NCF采用不同配方，可以干膜形态供应。因为NCF在连接步骤前就被施加至晶粒，所以在流入越来越狭窄的空隙时，这种方法不会像CUF材料那样受到同样限制。因此，NCF材料是一种颇具前途的方法，可将底部填充制程扩展至先进封装应用领域，特别是对于3D堆叠架构。

　　电子材料开发商研发的矽胶填充环氧树脂基NCF是专为精细间距、狭窄缝隙铜柱/TSV应用上的真空层压而设计的，在热压黏合期间可以迅速固化，为晶片分割与对齐提供良好的凸块和基准能见度。

　　可靠性测试表明，这种底部填充材料可以产生没有填料残留的无空隙黏合以及良好的接合构造(图5)。

　　图5　与锡银封盖铜柱热压黏合之后的NCF材料

　　2.5D和3D IC装置已经提出独一无二的材料需求，这是传统半导体装置生产中从未要求的。电子材料商透过专为不同制程应用量身研发新产品，诸如TSV铜填充、无铅焊料凸块/覆盖、临时黏合/脱黏黏合剂以及用于2.5D及3D IC装配的底部填充等，进一步实现3D整合技术商业化