创新电子材料助臂力 3D芯片制程挑战迎刃解

时间:2016-01-19 来源:网络 作者:佚名 收藏到我的收藏夹
简介:三维(3D)晶片制造商面临许多新的制程挑战,包括通孔填充须达到高深宽比且无空隙、焊接凸块电镀制程须低成本/高可靠性,以及薄晶圆传送时容易脆裂等。所幸,电子材料开发商已针对上述问题研发出对

  该产品可于电镀后直接呈现平滑的表面沈积形态、一致的银含量均匀度控制,能够在快速电镀速度下达到晶粒内及晶圆内的高度一致性以达成更低的拥有成本。

  薄晶圆传送问题有解

  传送薄至50μm的晶圆是一项困难重重的技术挑战,在背面加工前,要先将其暂时黏合至载体晶圆,之后再脱黏。目前业者在这一领域已有显着的成果,为室温机械脱黏研发出临时晶圆黏合产品。

  在生产中广泛用作永久性黏合剂材料的陶氏苯并环丁烯树脂技术经过重新配方,能够与晶圆减薄及背面整合制程相容。其特点是可调膜厚、从低地形应用到铜柱再到C4凸块的表面总厚度变化(TTV)低,并且可扩展至精细间距TSV应用。此外,沈积和固化的制程周期时间短,加之快速、简便且清洁机械脱黏,可进一步降低拥有成本(图4)。

  

  图4 临时黏合剂涂层和TTV性能

  非导电膜改善接合品质

  随着新的3D封装技术不断推动产生更高的I/O数和更小的尺寸,导致互连密度越来越高,间距也越来越细(互连之间中心到中心的距离越来越小),同时晶粒和基板之间(或者在3D堆叠矽结构中的晶粒间)的空隙也越来越窄。 3/4 首页上一页1234下一页尾页

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