电子材料厂商为中介层和通孔中间TSV应用设计铜TSV填充化学品，以应对这些挑战。该设计为硫酸基铜电解液镀浴，采用由三部分组成的添加剂系统，包含加速剂为由下而上填充的电化学催化剂;用以增强通孔湿润度和在场区域和结构顶端抑制沈积的抑制剂;以及可抑制沿侧壁沈积并加强阵列地形平坦化的整平剂。

　　该化学品的特性包括只需要较低的拥有成本(CoO)，即可获得快速填充时间以及低超载。此外，该设计还展现出无空隙填充、低缺陷、高纯度沈积，以及高可靠性/良率等优势(图2)。

　　图2　在不同填充速度和TSV尺寸下均展现出良好的填充效果。

　　焊料凸块电镀品质提升

　　先进封装应用，例如倒装晶圆、晶圆级封装(WLP)或3D-TSV，通常会使用无铅焊接点作为互连结构的关键要素。这些应用中最广泛使用的焊接材料为锡银，且通常用于电镀沈积，由于该制程方法较其他焊接方法成本更低且可靠性更高。3D IC设备的凸块制程必须能够处理从传统C4凸块到20μm锡银覆盖铜柱等不同大小的凸块(图3)。

　　图3　同一化学品可应用于不同形体尺寸和类型。

　　电子材料业者为锡银凸块和锡银覆盖铜柱研发的产品可扩展至精细间距/TSV应用。其镀液成分为基于MSA的锡银电解液，采用由三部分组成的添加剂系统，包括络和剂、主要和次要添加剂。 2/4 首页上一页1234下一页尾页