DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺方法。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，DCB基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，也是本世纪封装技术发展方向“chip-on-board”技术的基础。

1、 DCB应用

●大功率电力半导体模块；
●半导体致冷器、电子加热器；
●功率控制电路，功率混合电路；
●智能功率组件；
●高频开关电源，固态继电器；
●汽车电子，航天航空及军用电子组件；
● 太阳能电池板组件；
● 电讯专用交换机，接收系统；
● 激光等工业电子。

2、DCB特点

● 机械应力强，形状稳定；
● 高强度、高导热率、高绝缘性；
● 结合力强，防腐蚀；
● 极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高；
● 与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构
● 无污染、无公害；
● 使用温度宽-55℃～850℃；
● 热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。

3、使用DCB优越性

● DBC的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本；
● 减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率；
● 在相同截面积下。0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；
● 优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性；
● 超薄型(0.25mm)DBC板可替代BeO，无环保毒性问题；
● 载流量大，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升仅5℃左右；
●  热阻低，10×10mmDCB板的热阻：
厚0.63mm为0.31K/W
厚0.38mm为0.19K/W
厚0.25mm为0.14K/W
● 绝缘耐压高，保障人身安全和设备的防护能力；  
●  可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。  

4、陶瓷覆铜板DCB技术参数  

技术参数AL2O3(≥96%)  
最大规格  mm×mm 138×178 或138×188  
瓷片厚度  mm  0.25，  0.32，  0.38，  0.5，0.63±0.07(标准)，1.0， 1.3，  2.5  
瓷片热导率 W/m.K 24～28  
瓷片介电强度  KV/mm ＞14  
瓷片介质损耗因数≤3×10-4(25℃/1MHZ)  
瓷片介电常数  9.4(25℃/1MHZ)  
铜箔厚度(mm)  0.1～0.60.3±0.015(标准)  
铜箔热导率 W/m.K 385  
表面镀镍层厚度  μm 2～2.5  
表面粗度 μm  Rp≤7， Rt≤30， Ra≤3  
平凹深度 μm ≤30  
铜键合力  N/mm ≥6  
抗压强度 N/ Cm2 7000～8000  
热导率W/m.K  24～28  
热膨胀系数 ppm/K  7.4  (在50～200℃)  
DCB板弯曲率  Max ≤150μm/50mm (未刻图形时)  
应用温度范围  ℃  
-55～850  (惰性气氛下) 氢 脆 变 至400℃