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【工艺技术】电缆铜导体防氧化的控制方法
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GB/T 30552-2014 电缆导体用铝合金线
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材料科学
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精心雕琢“纳米手风琴”研发出可伸缩透明导体
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国家标准
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GB 7947-2010 人机界面标志标识的基本和安全规则 导体颜色或字母数字标识
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GJB国军标准
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GJB 76.5-1985 航空用聚酰亚胺薄膜绝缘电线电缆 镀银铜合金导体PI/F46绝缘FI漆护层电线
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SB商业行业
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SB/T 11000-2013 酒类行业流通服务规范
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电气论文
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GB14048_8_1998铜导体的保护、导体接线端子排
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低压电器和导体的选择
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避雷针和半导体消雷器的火箭引雷试验分析
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LED半导体—国内首创
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SST传感器应用于nm级半导体光刻机
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DL5222-2005导体和电器选择设计技术规定
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GBT 3859.3-1993半导体变流器 变压器和电抗器
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BS标准
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BS EN 61169-32-2000 射频连接器.第32部分带螺纹耦合的外导体1,85mm(0,072in)的内径RF共轴连接器.特性阻抗50欧姆(1,85型)
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GBT14048.8-2006低压开关设备和控制设备 第7-2部分:辅助器件 铜导体的保护导体接线端子排
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JIS H7307-2005 超导性.第7部分电特性测量.微波频率下超导体的表面电阻
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GB3834-1983 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
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BS标准
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BS EN 60747-15-2004 半导体分立器件.孤立的电力半导体器件
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UL 486E-2000 中文版 用于连接铝和或铜导体的设备接线端子
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GBT14048.7-2006低压开关设备和控制设备 第7-1部分:辅助器件 铜导体的接线端子排
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BS标准
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BS EN 60749-20-2009 半导体器件.机械和气候试验方法.塑料包封的SMDs的抗湿及钎焊热度综合影响
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变压器低压侧中性点接地导体截面的选择
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GB/T22587-2008 基体与超导体体积比测量 Cu-Nb-Ti复合超导体铜-超[体积]比的测量
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JIS标准
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JIS H7308-2006 超导性.第12部分基块超导体体积比例的测量.Nb3Sn复合超导金属线的铜对非铜体积比例
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ABB硅-半导体-太阳能行业成套解决方案
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JIS标准
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JIS H7306-2005 超导性.第4部分.剩余电阻比测量.Nb-Ti复合超导体的剩余电阻比
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BS标准
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BS EN 61169-31-2000 射频连接器.第31部分带螺纹耦合的外导体1,0mm(0,039in)的内径RF共轴连接器.特性阻抗50欧姆(1,0型)
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第1章-电器导体的发热计算
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JIS标准
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JIS H7309-2006 超导性.第10部分临界温度测量.用电阻法对Nb-Ti、 Nb3Sn和铋-系统氧化物复合超导体的临界温度的测量
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BS标准
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BS EN 60269-4-2009 低压熔断器.半导体装置保护用熔断体的补充要求
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JIS H7303-2002 超导体.第6部分机械特性测量.CuNb-Ni复合超导体的室温抗张试验
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JIS H7302-2000 超导性.第2部分临界电流测量.Nb3Sn复合超导体的直流临界电流
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GJBZ 55-1994 宇航用电子元器件选用指南 半导体分立器件
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GB/T12843-1991 半导体集成电路 微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
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GB/T11493-1989 半导体集成电路外壳空白详细规范
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GB/T14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
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GB/T11499-2001 半导体分立器件文字符号
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JIS H7304-2002 超导体.第5部分机体与超导值比率测量.CuNb-Ni复合超导体铜对超导体积的比率
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GB/T14264-1993 半导体材料术语
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GB/T14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
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GB/T12844-1991 半导体集成电路非线性电路系列和品种 采样 保持放大器的品种
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GB/T14115-1993 半导体集成电路采样 保持放大器测试方法的基本原理
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GB/T15509-1995 半导体集成电路系列和品种 彩电遥控器用电路系列的品种
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JIS H7305-2003 超导性.第3部分临界电流测量.覆银的铋-2212和铋-2223氧化物超导体的临界直流电流
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JIS H7302-2009 超导体.第2部分临界电流测量.铌(指数3)Sn复合超导体的直流临界
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