布朗大学的化学家们提出了一种从硅基化合物中制备新型纳米材料的新方法。这种纳米材料可以制成不同的形态，能应用于半导体、光学、电池等领域。

布朗大学的PROVIDENCE, R.I.教授近日在《Nanoletters》上发表了一篇文章，声称研究者们发现了一种用碲化硅制备纳米带和纳米片的新方法。碲化硅本身是一种本征p型半导体（空穴载流子），广泛运用于光、电器件领域。其层状结构可以用来储存锂和镁，也可以用来制造锂离子(或镁离子)电池的电极材料。

“硅基化合物是现代电子加工行业的支柱。”Kristie Koski说到。Kristie Koski是布朗大学化学系助理教授，同时也是这项工作的引导者。她说：“碲化硅仅是硅基化合物中的一类，我们已经发现了一种用来制造层状二维纳米材料的新方法。”

Koski和她的研究团队通过气相沉积法在管式炉中合成了这种新材料。当加热通有氩气的管式炉时，硅和碲通过蒸发反应在基底上生成一种前驱体化合物，之后碲化硅从这种前驱体化合物中生长出来。

通过调整炉温和基底处理方法可以制造不同的结构。通过调整制备过程，研究者们已经能够制备出宽50~1000nm，长约10μm的纳米带。他们同样也制造出了平躺在基底上或竖直站立在基底上的纳米片。“我们看到了很多竖直挺立的纳米片” Koski说，“他们呈半六方状竖直挺立基底上，看上去就像墓地”。每种不同的形状都对应着一种不同的晶体结构取向。因此，他们都有不同的性质，能用于不同的领域。

研究者们也证明了这种材料能够通过使用不同的基底进行掺杂。掺杂本质而言是通过引入极少量杂质以改变材料电子结构的过程。该课题组的研究者通过生长氧化铝基底进而在碲化硅中掺杂铝。运用掺杂的方法，可以将p型半导体（空穴载流子）改变成n型半导体（电子载流子）。

“这种碲化硅材料在空气中不是特别的稳定”Koski说，“但是很容易补救的”。“我们可以将碲化硅氧化，之后进行脱碲处理，就能够产生一个氧化硅涂层”她说，“涂层能够保护碲化硅，使碲化硅相当稳定。”。

目前，Koski 和她的研究团队打算继续研究这种材料的电学和光学性质。“要想把二维材料应用于电子器件领域，碲化硅会是一种很好的选择。” Koski说。