GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 GB/T25188-2010

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更新时间： 2012-11-24 09:25:13
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关键字：射线光电子能谱厚度氧化硅表面超薄晶片测量电子氧化光电子能谱光电
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　　　GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法GBT 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

    本标准规定了一种准确侧盈硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法(XPS).本标准适用于热叙化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm,
2规范性引用文件
    下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条欲.凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版本均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研
究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
    GB/T 22461表面化学分析词汇(GB/T 22461-2008,IS0 18115:2001,IDT)
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(GB/T 21006-2007,ISO 21270:2004,IDT)
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