电源设计常用计算公式

时间:2017-08-31 来源:网络 作者:佚名 收藏到我的收藏夹
简介:1.MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax: 式中:Vor为副边折射到原边的反射电压,当输入为AC 220V时反射电压为135V;VminDC为整流后的最低直流电压; VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压,一般

6.变压器原边匝数NP


式中:△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T),Ae单位为cm2,Ts单位为s。

7.变压器副边匝数NS

式中:VD为变压器二次侧整流二极管导通的正向压降。

8.功率开关管的选择

开关管的最小电压应力UDS

一般选择DS间击穿电压应比式(9)计算值稍大的MOSFET功率管。


9.绕组铜耗PCU

原、副边绕组电阻值可通过求绕组电阻值R的公式求出,当求原边绕组铜耗时,电流用原边峰值电流IPK来计算;求副边绕组铜耗时,电流用输出电流Io来计算。


10.磁芯损耗

磁芯损耗取决于工作频率、工作磁感应强度、电路工作状态和所选用的磁芯材料的性能。对于双极性开关变压器,磁芯损耗PC:

式中:Pb为在工作频率、工作磁感应强度下单位质量的磁芯损耗(W/kg); Gc为磁芯质量(Kg)。

对于单极性开关变压器,由于磁芯工作于磁滞回线的半区,所以磁芯损耗约为双极性开关变压器的一半。变压器总损耗为总铜耗与磁芯损耗之和。

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